第三代半导体资料拥有宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速度及更高的抗辐射才智，所以更适合于造造高温、高频、抗辐射及大功率器件，平时又被称为宽禁带半导体资料（禁带宽度大于2.2ev），也称为高温半导体资料。第三代半导体资料要紧以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表。
跟着5G、新能源汽车等墟市生长，第三代半导体的需求界限依旧高速增进。同时，中美交易战的影响给国产第三代半导体资料带来了生长良机。2024年正在国内泰半导体财富增进乏力的大靠山下，我国第三代半导体财富达成逆势增进。2024年，SiC、GaN电力电子产值界限抵达58亿元，同比增进29.6%。GaN微波射频产值抵达69亿元，同比增进13.5%。2020-2024年，中国第三代半导体专利申请数目处于当先位子；截至2024年12月16日，我国第三代半导体专利申请数目为1582件。
区域方面，我国第三代半导体初阶造成了京津冀鲁、长三角、珠三角、闽三角、中西部等五大重心生长区域。从代表性企业分散情景来看，江苏省第三代半导体代表性企业分散最多，如姑苏纳维、晶湛半导体、英诺赛科等。同时广东、山东代表性企业也有较多代表性企业分散。从专利数目看，截至2024年12月16日，江苏省为中国目前申请第三代半导体专利数目最多的省份，累计目前第三代半导体专利申请数目高达2860项。北京、山东、广东、陕西和浙江目前申请第三代半导体专利数目均高出1000项。中国目前申请省（市、自治区）第三代半导体专利数目排名前十的省份再有河南省、上海市、湖南省和安徽省。
2024年3月12日，《中华国民共和国国民经济和社会生长第十四个五年计议和2024年前景对象大纲》全文正式颁发。正在事合国度太平和生长全体的根基中心界限，《大纲》提到协议实践政策性科学准备和科学工程。个中，集成电途攻合方面，《大纲》重心夸大促进集成电途打算器械、中电配备和高纯靶材等症结资料研发、集成电途进步工艺和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、微机电体系（MEMS）等特点工艺冲破，进步存储工夫升级，碳化硅、氮化镓等矿禁带半导体生长。2024年6月，《长三角G60科创走廊造造计划》提出正在重心界限造就一批拥有国际比赛力的龙头企业，加疾结构量子新闻、类脑芯片、第三代半导体、基因编纂等一批他日企业。2024年1月4日，工业和新闻化部、住房和城乡造造部、交通运输部、农业乡村部和国度能源局笼络印发《智能光伏财富更始生长动作准备（2025-2031年）》。准备分表指出要开荒基于宽禁带资料及功率器件、芯片的逆变器。
我国第三代半导体工夫和财富都博得较好转机，但正在资料目标、器件机能等方面与表洋进步秤谌仍存正在必定差异，墟市陆续被国际巨头吞没，国产化需求急切。我国第三代半导体更始生长的机缘仍然成熟，处于首要窗口期。
共研网颁发的《2025-2031年中国第三代半导体行业全景考察与墟市供需预测陈诉》共十二章。起初先容了第三代半导体行业的总体大概及环球行业生长情景，接着阐述了中国第三代半导体行业生长境况、墟市总体生长情形以及寰宇首要区域生长情形。然后永诀对第三代半导体财富的财富链联系行业、行业重心企业的筹备情形及行业项目案例投资实行了精确的透析。结尾，陈诉对第三代半导体行业实行了投资阐述并对行业他日生长远景实行了科学的预测。
本探索陈诉数据要紧来自于国度统计局、商务部、工信部、中国海合总署、半导体行业协会、共研网、共研网墟市考察核心以及国表里重心刊物等渠道，数据巨子、详确、富厚，同时通过专业的阐述预测模子，对行业中心生长目标实行科学地预测。您或贵单元若思对第三代半导体财富有个人系深远的懂得、或者思投资第三代半导体财富，本陈诉将是您不成或缺的首要参考器械。
6.4.1 操纵集体工夫途径 电网操纵工夫途径 电力牵引操纵工夫途径 电动汽车操纵工夫途径 家用电器和消费类电子操纵
