第三代半导体资料拥有宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速度及更高的抗辐射才华，因此更适合于创造高温、高频、抗辐射及大功率器件，时时又被称为宽禁带半导体资料（禁带宽度大于2.2ev），也称为高温半导体资料。第三代半导体资料重要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表。
跟着5G、新能源汽车等墟市发扬，第三代半导体的需求范畴保留高速增进。同时，中美生意战的影响给国产第三代半导体资料带来了发扬良机。2021年正在国内泰半导体工业增进乏力的大靠山下，我国第三代半导体工业竣工逆势增进。2021年，SiC、GaN电力电子产值范畴抵达58亿元，同比增进29.6%。GaN微波射频产值抵达69亿元，同比增进13.5%。2010-2021年，中国第三代半导体专利申请数目处于当先职位；截至2021年12月16日，我国第三代半导体专利申请数目为1582件。
区域方面，我国第三代半导体开始变成了京津冀鲁、长三角、珠三角、闽三角、中西部等五大中心发扬区域。从代表性企业漫衍景况来看，江苏省第三代半导体代表性企业漫衍最多，如姑苏纳维、晶湛半导体、英诺赛科等。同时广东、山东代表性企业也有较多代表性企业漫衍。从专利数目看，截至2021年12月16日，江苏省为中国今朝申请第三代半导体专利数目最多的省份，累计今朝第三代半导体专利申请数目高达2860项。北京、山东、广东、陕西和浙江今朝申请第三代半导体专利数目均跨越1000项。中国今朝申请省（市、自治区）第三代半导体专利数目排名前十的省份又有河南省、上海市、湖南省和安徽省。
2021年3月12日，《中华公民共和国国民经济和社会发扬第十四个五年筹备和2035年前景方向纲目》全文正式宣告。正在事合国度安详和发扬整体的根本中央界限，《纲目》提到造订履行计谋性科学安排和科学工程。此中，集成电道攻合方面，《纲目》中心夸大饱动集成电道打算用具、中电配备和高纯靶材等合节资料研发、集成电道优秀工艺和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、微机电体例（MEMS）等特质工艺冲破，优秀存储手艺升级，碳化硅、氮化镓等矿禁带半导体发扬。2021年6月，《长三角G60科创走廊维持计划》提出正在中心界限造就一批拥有国际逐鹿力的龙头企业，加快结构量子讯息、类脑芯片、第三代半导体、基因编纂等一批异日企业。2022年1月4日，工业和讯息化部、住房和城乡维持部、交通运输部、农业村庄部和国度能源局连结印发《智能光伏工业革新发扬活动安排（2021-2025年）》。安排万分指出要开垦基于宽禁带资料及功率器件、芯片的逆变器。
我国第三代半导体手艺和工业都博得较好开展，但正在资料目标、器件功能等方面与表洋优秀水准仍存正在必定差异，墟市一直被国际巨头攻陷，国产化需求急迫。我国第三代半导体革新发扬的机会依然成熟，处于紧要窗口期。
工业商讨院宣告的《2024-2028年中国异日工业之第三代半导体行业趋向预测及投资机遇商讨申报》共十二章。起初先容了第三代半导体行业的总体概略及环球行业发扬事势，接着理解了中国第三代半导体行业发扬处境、墟市总体发扬状态以及宇宙紧要区域发扬状态。然后分歧对第三代半导体工业的工业链联系行业、行业中心企业的策划状态及行业项目案例投资实行了精细的透析。结果，申报对第三代半导体行业实行了投资理解并对行业异日发扬远景实行了科学的预测。
本商讨申报数据重要来自于国度统计局、商务部、工信部、中国海合总署、半导体行业协会、工业商讨院、工业商讨院墟市侦察核心以及国表里中心刊物等渠道，数据巨擘、翔实、丰盛，同时通过专业的理解预测模子，对行业中央发扬目标实行科学地预测。您或贵单元若思对第三代半导体工业有个人例深刻的清楚、或者思投资第三代半导体工业，本申报将是您弗成或缺的紧要参考用具。
